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| 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DirectFET-SQ 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 74 A Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V Qg-栅极电荷: 11 nC 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 32 W 通道模式: Enhancement 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 配置: Single 高度: 0.7 mm 长度: 4.85 mm 产品类型: MOSFET 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.95 mm 单位重量: 500 mg |
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